upntoday

DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰　2016年將完成多種半導體異質整合水準

(台北訊) TSV 3D IC技術雖早於2002年由IBM所提出，然而，在前後段IC製造技術水準皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術發展速度可說是相當緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術加以堆疊推出體積更小的鏡頭模組後，才正式揭開TSV 3D IC實用化的序幕。

於此同時，全球主要晶片製造商製程技術先後跨入奈米級製程後，各廠商亦警覺到除微縮製程技術將面臨物理極限的挑戰外，研發時間與研發成本亦將隨製程技術的進步而上揚，因此，包括IBM、三星電子(Samsung Electronics)、台積電(TSMC)、英特爾(Intel)、爾必達(Elpida)等晶片製造商皆先後投入TSV 3D IC技術研發。

至2011年第4季，三星與爾必達分別推出採TSV 3D IC同質整合技術高容量DRAM模組產品，並已進入送樣階段，台積電則以28奈米製程採半導體中介層(Interposer)2.5D技術為賽靈思(Xilinx)製作出新一代現場可程式邏輯閘陣列(Field Programmable Gate Array；FBGA)產品。

然而，柴煥欣說明，各主要投入TSV 3D IC半導體大廠除面對晶圓薄型化、晶片堆疊、散熱處理等相關技術層面的問題外，隨TSV 3D IC技術持續演進並逐漸導入實際製造過程中，前段與後段IC製程皆出現更多隱藏於製造細節上的問題。

加上就整體產業鏈亦存在從材料、設計，乃至生產程序都尚未訂出共通標準，而晶圓代工業者與封裝測試業者亦無法於製程上成功銜接與匯整，都將是造成延誤TSV 3D IC技術發展與市場快速起飛重要原因。

綜合各主要晶片製造商技術藍圖規畫，2011年TSV 3D IC是以同質整合的高容量DRAM產品為主，至2014年，除將以多顆DRAM堆疊外，尚會整合一顆中央處理器或應用處理器的異質整合產品。柴煥欣也預估，要至2016年，才有機會達到將DRAM、RF、NAND Flash、CPU等各種不同的半導體元件以TSV 3D IC技術整合於同1顆IC之中異質整合水準。
更多精彩報告內容，請上DIGITIMES網站閱讀。

欲安排訪問或了解更多關於本新聞稿的細節，請聯絡DIGITIMES魏淑芳(Joan Wei) ，電話： +886 2 8712 8866 #760或電郵：joan.wei@digitimes.com

關於DIGITIMES Research
DIGITIMES Research以探討電子產業與市場重要趨勢、景氣變化、產品及技術動向、大廠營運策略等為研究分析重點，貫穿產業上中下游與終端市場，為台灣最具時效、專業與份量的電子產業研究單位。DIGITIMES Research提供各式諮詢服務，協助電子產業全方位掌握相關產業與市場最新情況、研判趨勢與關鍵資訊，以為經營布局決策參考。

關於DIGITIMES
DIGITIMES為台灣數十家科技企業領袖於1998年共同成立的公司，專注於全球及台灣科技產業、市場、產品、應用等資訊提供，主要產品及服務內容包括：媒體出版、企業行銷規劃、產業與市場研究等，並以協助提升台灣科技產業與應用之全球競爭力為企業宗旨。